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SiJ458DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
80
64
48
V GS = 10 V thru 4 V
10
8
6
T C = 25 °C
32
3V
4
16
0
2
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0026
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
6500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.0024
5200
C iss
0.0022
0.0020
V GS = 4.5 V
3900
2600
0.0018
V GS = 10 V
1300
C oss
C rss
0.0016
0
0
16
32
48
64
80
0
6
12
18
24
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 20 A
8
6
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.5
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
1.2
4
V DS = 20 V
0.9
2
0
0.6
0
18
36
54
72
90
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge
Gate Charge
Document Number: 65709
S10-0640-Rev. A, 22-Mar-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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